半導體級晶體生長爐CG6000-大連連城數控機器股份有限公司'
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半導體級晶體生長爐CG6000

半導體級晶體生長爐CG6000-大連連城數控機器股份有限公司'

  • 最優化的3-6英寸CZ單晶生長方案
  • 領先的全數字控制系統
  • 先進的熱場設計
  • 30多年成功運行經驗
  • 全球超過1000臺安裝量


半導體級晶體生長爐CG6000
Performance  性能
  Furnace Chamber Diameter 爐腔內徑   762 mm (30 in)
  Pull Chamber Doorway Height 副室高度   2108 mm (83 in)
  Throat Diameter 喉口直徑   0-508 mm/hr
  Seed Jog Speed (Nominal) 籽晶快速提升速率(最大)   508 mm/min
  Total Crucible Travel 坩鍋最大行程   292 mm (11.5 in )
  Crucible Lift Rate 坩鍋提升速率   0-254 mm/hr
  Crucible Jog Speed (Nominal) 坩鍋快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
  Seed Rotation (Reversible) 晶轉速率(可逆)   0-50 rpm
  Crucible Rotation (Reversible) 鍋轉速率(可逆)   0-20 rpm

Silicon Charge Capacity硅投料量
  *Hot Zones available to fit following crucible sizes 熱場尺寸取決于坩鍋直徑
  **Charges can be enhanced with Xtramelt? Feeder 使用 Xtramelt? 二次加料系統可提高裝料量
  Crucible Diameter*
  坩堝直徑
  Crucible Height*
  坩堝高度
  Charge Size Cold Pack
  冷裝投料量
  Enhanced Charge**
  復投裝料量
  18.0 in   13.5 in   60 kg   75 kg

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