Semiconductor Level Crystal Growing Furnace KX260MCZ-Dalian Linton NC Machine Co., Ltd
Semiconductor Level Crystal Growing Furnace KX260MCZ

Semiconductor Level Crystal Growing Furnace KX260MCZ-Dalian Linton NC Machine Co., Ltd

  • Monocrystal Longest Diameter 400mm
  • Leading Full Digital Control System         
  • Advanced Hotzone Design         
  • Advanced CUSP Magnetic Field Reduces the Oxygen Content to
    Improves the Monocrystal Quality Effectively

Main Parameter
Performance
  Typical Ingot Diameter   200-400 mm (8-16 in)
  Pull Chamber Door Opening   508 x 2,362 mm (20 x 93 in)
  Throat Diameter   457 mm (18 in)
  Seed Lift Rate   0-508 mm/hr
  Seed Jog Speed (Nominal)   508 mm/min
  Total Crucible Travel   280 mm (19.6 in )
  Crucible Lift Rate   0-254 mm/hr
  Crucible Jog Speed (Nominal)   50.8 mm/min
  Seed Rotation (Reversible)   0-35 rpm
  Crucible Rotation (Reversible)   0-20 rpm
  CUPS   14,200 l/min (300 cfm)
  (Min. recommended) Aux   1,700 l/min (50 cfm)


Silicon Charge Capacity
  *Hot Zones available to fit following crucible sizes
  **Charges can be enhanced with Xtramelt? Feeder
  Crucible Diameter*
  Crucible Height*
  Charge Size Cold Pack
  Enhanced Charge**
  28.0 in   17.0 in   240 kg   300 kg
  24.0 in   16.33 in   150 kg   180 kg


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